聚焦行业前沿！宏微科技GaN器件赋能人形机器人发展

12月4日，2025行家说三代半年会——碳化硅&氮化镓产业高峰论坛在深圳隆重举办。江苏宏微科技股份有限公司CTO、上海宏微爱赛半导体有限公司总经理崔崧应邀出席，与行业精英齐聚一堂，共话宽禁带半导体产业发展新机遇。

论坛期间，崔崧发表了《氮化镓器件赋能人形机器人关节电机发展》的主题报告，凭借深厚的技术积淀和对行业趋势的敏锐洞察，向现场嘉宾分享了GaN（氮化镓）技术在人形机器人应用中的独特优势及最新进展，引发了广泛关注与热烈讨论。

GaN器件：人形机器人关节电机的性能“加速器”

人形机器人的关节电机对器件的高频、高效和高功率密度要求极为严苛。而GaN器件凭借自身卓越的材料特性，正成为突破关节电机性能瓶颈的关键技术。

在高频特性方面，GaN器件的开关速度远高于传统硅基器件，能够显著提升关节电机的响应速度，让机器人动作更敏捷、精准，更好地适应复杂场景下的灵活运动需求。高效特性则意味着GaN器件在能量转换过程中损耗更低，可有效提高关节电机的能效，延长机器人的续航时间，这对于依赖电池供电的人形机器人而言至关重要。此外，高功率密度使GaN器件在更小的体积内实现更高的功率输出，有助于关节电机的小型化、轻量化设计，进一步优化人形机器人的整体结构与运动性能。

宏微爱赛：积极布局，助力下一代机器人发展

面对人形机器人产业的广阔前景，宏微爱赛已率先行动。作为宏微科技布局第三代半导体的重要载体，宏微爱赛自成立以来专注于GaN芯片设计及器件开发与应用 。目前，公司正针对人形机器人关节电机的特殊需求，积极开发高性能GaN器件。凭借在功率半导体领域多年的技术积累和研发实力，宏微爱赛致力于打造更贴合应用场景、性能更卓越的GaN解决方案，为下一代高性能人形机器人的发展注入强劲动力。

未来，宏微科技将持续深耕GaN等宽禁带半导体技术，紧跟行业发展趋势，加强技术创新与产业合作，以优质的产品和解决方案赋能更多新兴领域，为功率半导体产业的发展贡献力量！