宏微爱赛携手合肥工业大学布局GaN板级电源技术

2026 年 7 月 17 日，江苏宏微科技股份有限公司子公司上海宏微爱赛半导体有限公司，与合肥工业大学正式签署校企合作协议。双方将围绕 AI 数据中心（AIDC）板级供电核心需求，联合开展基于 GaN HEMT 的 AIDC 三级电源关键技术研究。宏微爱赛总经理崔崧、宏微科技董秘等企业代表，与合肥工业大学专家团队核心成员共同出席签约仪式。

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当前 AI 算力需求持续爆发，服务器单机功率与机柜功率密度同步攀升，高性能功率半导体已成为支撑数据中心电源架构高效稳定运行的核心基础。AIDC 供电体系从电网到板卡负载分为三级：一级供电完成高压传输与电气隔离，二级供电构建服务器内部 48V 低压母线，贴近 GPU/OAM 核心负载的三级 48VDC→6VDC 转换环节，是决定板卡供电质量与运行可靠性的关键节点。

作为国内功率半导体领域核心厂商，宏微科技长期深耕 IGBT、SiC、GaN 等功率器件研发与产业化，目前已完成 AIDC 一、二级供电环节的器件产品布局。本次合作精准锚定最靠近负载端的三级供电场景，聚焦 GaN 器件工程化应用研究，发挥 GaN 高频高效的特性，突破 AIDC 板级供电性能瓶颈，完善公司在数据中心供电全链路的技术布局。

本次合作，合肥工业大学团队将依托电力电子拓扑、高频功率变换、宽禁带器件应用领域的深厚学术积累，提供理论研究与仿真设计支撑；宏微科技将发挥功率器件研发、工程化制造与市场应用的全链条产业优势，推进器件选型、样机试制与性能验证落地，加速技术成果向产业端转化。

此次校企合作是宏微科技深化产学研协同创新的重要实践。未来，公司将持续联动优质科研资源，围绕数据中心、新能源等战略赛道核心需求开展联合攻关，不断拓宽功率半导体产品应用边界，以自主可控的高性能解决方案，助力数字产业与实体经济高质量发展。