宏微科技精彩亮相 PCIM Asia Shenzhen 2026

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650V 30mΩ GaN HEMT

产品亮点：

• 低开关、导通损耗

• 无反向恢复电荷，消除续流损耗

• 高阈值电压，防误导通设计

• 低峰值电场耦合设计，适配 AIDC 供电高动态可靠性需求

宏微 1200V SiC 单管

产品亮点：

• 更广范围的产品适配性

• 更低的损耗表现和效率提升

• 更强的可靠性表现

NCB SiC 封装系列产品

产品亮点：

• 安装便利，支持压接、焊接等多种连接方式

• 低寄生电感设计，模块杂散电感<9nH

• 开关频率>36kHz，整机效率>97%

NCE SiC 封装系列产品

产品亮点：

• 低损耗设计（导通+开关）

• 20kHz~60kHz 高频应用，整机效率>98%

• 低寄生电感设计，模块杂散电感<10nH

• 可拓展性强，拓扑灵活组合并联
  

NCE G2 SiC 封装系列产品

产品亮点：

• 1700V 高耐压平台

• 更低热阻设计，全银烧结工艺

• 支持185℃ 结温运行，短时200℃

100V 7mΩ GaN HEMT

产品亮点：

• 超低损耗（开关 导通）

• 高 Ciss / Crss 比值，减少串扰

• 高输出功率密度与小体积，适配机器人微关节

• 开关速度快，满足机器人动力传输快速响应需求

第八代 IGBT 单管

产品亮点：

• 低饱和压降

• 快管设计，开关损耗低

• 额定电流大/额定电压高

• 高阈值电压，降低误导通风险

• 开尔文引脚设计，优化驱动回路

460KW 光伏逆变器模块

产品亮点：

• 第八代 IGBT 芯片技术

• 低导通压降，低开关损耗

• SiC SBD 混合应用，提高整机效率

• 升压模块有 SiC MOSFET 与 IGBT 两种方案选择

250KW 储能变流器模块

产品亮点：

• 高功率密度

• 灵活的出针设计

• 搭载1400V 芯片，充足的电压尖峰余量

430KW 储能变流器模块

产品亮点：

• 473KW 长期运行，低温升、高效率

• 支持 SiC SBD 混合版本，提高整机效率

• 通过安装在散热器上的 TS 可靠性试验，保证产品长期可靠性

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