展会回顾 | 宏微科技闪耀慕尼黑上海电子展

7月1日-3日，2026慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心圆满收官。作为电子与功率半导体领域的年度重磅盛会，展会汇聚了行业前沿技术、创新产品及上下游优质企业，为产业技术交流、商务对接、资源互通搭建了专业高效的平台。

展会期间，宏微科技重磅亮相N5馆532展位，全方位展示了公司在工业控制、新能源汽车、新能源发电、第三代半导体及新兴应用领域的最新技术成果。其中重点展出了面向 AI 数据中心（AIDC）场景、适配固态变压器（SST）的功率半导体解决方案，吸引了众多客户与行业专家驻足交流。

采用宏微新一代 M7i+芯片技术，相较上代芯片，M7i+芯片在高负载工况下总损耗降低约 15%，芯片最高工作结温由原来 175℃ 提升至 185℃；GVF 封装采用耐温更高的封装材料，封装体积较 GVE 减小 20%，在保证发电侧出流能力的状态下，功率密度做到更高，应用于混动发电侧场景。

采用先进 SiC MOS 芯片，显著降低导通损耗和开关损耗。在相同工况下，总损耗可降低约 50%；优化了体二极管和开关速度，实现极快的电流变化率（di/dt），同时利用沟槽栅技术抑制振荡。封装材料采用耐温更高的 PPS 材料，模块支持 185℃ 的工作结温；NV 模块最多可支持 12 并芯片的封装，最大出流能力可达 900Arms，支持 400KW 以上的电驱。1500V 的 NV 适用于1000V 的高压平台，DC 端子采用叠层母排设计，有效降低杂感，适配乘用车与商用车 MCU 应用。

拥有 IGBT 和 SiC 双版本，分别适配 400V 和 800V 平台。集成化设计优化整体 EMI 以及更小的体积，降低设计难度同时拥有更低的成本。集成 NTC 温度传感器和顶部散热的设计，提高模块热管理能力。采用 DIP 封装，减少的焊点和连接从源头降低失效率，专为汽车空压机及电机驱动等应用打造。

采用宏微第七代芯片技术的 GEB 模块封装，模块内部主电路杂感 10nH 左右，相比于 GWB 封装，显著地降低模块的电压尖峰。该产品拥有低的 Vce(sat) 与优异的动态开关特性。该产品可以应用于风电 1800V 系统，提高系统电压，降低风电线材成本，提高整机功率。

行业独家大尺寸自由出针封装，搭载第八代IGBT芯片（性能较第七代提升10%+），单模块400A以上，适用于400KW以上光伏逆变器/储能变流器，高功率密度，可单模块替代两模块并联。

采用1400V第八代IGBT芯片，单模块用于460KW光伏逆变器，低Vce(sat)且开关损耗低，搭配SiC SBD降低开通损耗与二极管损耗，175℃结温能力，通过高压硫化氢及H3TRB可靠性试验。

该模块搭载SIC MOS芯片，采用宏微NWQ封装，更高耐压应对下一代母线升级情况。模块应用纯SIC MOS的方案可以显著提高应用频率，具备低饱和压降与优异的开关特性。产品适配150kW功率段工商业储能，能够提高系统开关频率，提高整机功率。

覆盖 SiC MOSFET 与 IGBT 双平台，适配 650V / 1200V 主流电压等级。凭借顶部散热、开尔文源极引脚等设计，实现高效热管理与优异 EMI 性能，高功率密度、高可靠性，广泛适配新能源汽车、光伏储能、工业电源等场景。

宏微嵌入式功率模块，覆盖 SiC（1200V~1700V）与 GaN（100V~650V）宽电压平台，凭借低杂感、高集成度、小体积与高功率密度优势，可灵活适配汽车、工业机器人、AIDC、低空经济、充电桩等多元应用场景。         

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展会期间，公司技术与销售团队直面客户需求，针对产品选型、方案适配、技术参数及合作模式进行一对一专业解答与深度交流，精准对接客户差异化应用需求，深入探讨行业技术趋势与合作机遇，现场交流成果丰硕。

未来，宏微科技将继续深耕功率半导体领域，加强自主创新，为市场提供高可靠、高性能功率半导体芯片和模块，为客户提供更优质的产品与服务。