圆满收官！宏微科技精彩亮相 2026 PCIM Europe
当地时间6月9-11日，全球电力电子行业顶级盛会——PCIM Expo & Conference 2026 在纽伦堡会展中心圆满落幕。PCIM Europe 作为全球最大的功率半导体展会，以其高质量的参会者享誉业界，来自学术界和工业界的专家、厂商在这里发布和展示最新的研究成果和产品，内容从半导体、元器件、封装技术到终端系统，涵盖整个生态链。
作为国内功率半导体器件行业的领军企业之一，宏微科技（MACMIC）携全产业链创新产品及解决方案精彩亮相 9 号馆 338 展位，全方位展示了公司在工业控制、新能源汽车、新能源发电、第三代半导体及新兴应用领域的最新技术成果。其中重点展出了面向 AI 数据中心（AIDC）场景、适配固态变压器（SST）的功率半导体解决方案，吸引了众多国际客户与行业专家驻足交流。
多款新品首发，覆盖 IGBT、SiC、GaN 品类
本次展会上，宏微科技发布了多款新品，覆盖 IGBT、SiC、GaN 器件，适配新能源汽车、光伏储能、风电、工业控制及低空经济等多元应用场景：
GVF 750V 500A 模块采用宏微新一代 M7i+芯片技术，相较上代芯片，M7i+芯片在高负载工况下总损耗降低约 15%，芯片最高工作结温由原来 175℃ 提升至 185℃；GVF 封装采用耐温更高的封装材料，封装体积较 GVE 减小 20%，在保证发电侧出流能力的状态下，功率密度做到更高，应用于混动发电侧场景。
NV 系列1200V / 1500V SiC 模块采用先进 SiC MOS 芯片，显著降低导通损耗和开关损耗。在相同工况下，总损耗可降低约 50%；优化了体二极管和开关速度，实现极快的电流变化率（di/dt），同时利用沟槽栅技术抑制振荡。封装材料采用耐温更高的 PPS 材料，模块支持 185℃ 的工作结温；NV 模块最多可支持 12 并芯片的封装，最大出流能力可达 900Arms，支持 400KW 以上的电驱。1500V 的 NV 适用于1000V 的高压平台，DC 端子采用叠层母排设计，有效降低杂感，适配乘用车与商用车 MCU 应用。
芯动能九合一 IGBT / SiC 产品，拥有 IGBT 和 SiC 双版本，分别适配 400V 和 800V 平台。集成化设计优化整体 EMI 以及更小的体积，降低设计难度同时拥有更低的成本。集成 NTC 温度传感器和顶部散热的设计，提高模块热管理能力。采用 DIP 封装，减少的焊点和连接从源头降低失效率，专为汽车空压机及电机驱动等应用打造。
GEB 2300V 风电模块采用宏微第七代芯片技术的 GEB 模块封装，模块内部主电路杂感 10nH 左右，相比于 GWB 封装，显著地降低模块的电压尖峰。该产品拥有低的 Vce(sat) 与优异的动态开关特性。该产品可以应用于风电 1800V 系统，提高系统电压，降低风电线材成本，提高整机功率。
八代平台GEQ模块：行业独家大尺寸自由出针封装，搭载第八代IGBT芯片（性能较第七代提升10%+），单模块400A以上，适用于400KW以上光伏逆变器/储能变流器，高功率密度，可单模块替代两模块并联。
八代平台GWQ 1400V模块：采用1400V第八代IGBT芯片，单模块用于460KW光伏逆变器，低Vce(sat)且开关损耗低，搭配SiC SBD降低开通损耗与二极管损耗，175℃结温能力，通过高压硫化氢及H3TRB可靠性试验。
QDPAK 封装 IGBT & SiC 分立器件，覆盖 SiC MOSFET 与 IGBT 双平台，适配 650V / 1200V 主流电压等级。凭借顶部散热、开尔文源极引脚等设计，实现高效热管理与优异 EMI 性能，高功率密度、高可靠性，广泛适配新能源汽车、光伏储能、工业电源等场景。
Embedded 嵌入式 SiC / GaN 模块覆盖 SiC（1200V~1700V）与 GaN（100V~650V）宽电压平台，凭借低杂感、高集成度、小体积与高功率密度优势，可灵活适配汽车、工业机器人、AIDC、低空经济、充电桩等多元应用场景。
技术论坛分享，展现研发深度
此外，宏微科技积极参与展会同期技术论坛，分享前沿技术研发成果。6月9日，公司技术专家顾天宏带来宏微 SiC 产品介绍主题演讲，深度解读碳化硅器件技术优势、迭代路线及应用前景；此外，公司还通过参加墙报宣讲的形式，分享了"RC吸收芯片在三电平模块的应用"研究成果，以案例分享技术落地经验。
深耕全球市场，持续为客户创造价值
未来，宏微科技将继续秉持务实态度，以市场为导向，持续推动技术创新，为客户提供更优质的产品与服务。同时，我们将携手全球行业同仁，共同探索功率半导体技术趋势，对接多元化应用场景与合作需求，持续为全球客户创造价值。
